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SRAM存储器

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原厂型号	品牌	描述	参考价格	刷新电流	工作电流	待机电流	工作温度	写周期时间(Tw)	存储器格式	工作电压	存储容量	最大时钟频率	封装/外壳
MT41K64M16TW-107:J	Micron(镁光)	1Gb：X4、X8、X16 DDR3L SDRAM 数据手册	￥36.3662 购买	12mA	46mA	-	0℃~+95℃	-	DRAM	1.283V~1.45V	1Gbit	933MHz	FBGA-96(8X14)
K4F6E3S4HM-MGCJ	Samsung(三星)	16Gb LPDDR4 SDRAM FBGA200 数据手册	￥508.54565 购买	-	-	-	-25℃~+85℃	-	-	1.7V~1.9V	16Gbit	1.866GHz	FBGA-200(15x10)
K4B4G1646E-BYMA	Samsung(三星)	4Gb E-die DDR3L SDRAM专用x16 FBGA96 数据手册	￥88.3742 购买	-	-	-	0℃~+95℃	-	DRAM	1.425V~1.575V	4Gbit	933MHz	FBGA-96
NT5CC256M16ER-EK	Nanya(南亚科)	DRAM存储器 TFBGA96_13X8MM 933MHz 4(256Mx16）GB 数据手册	￥164.6526 购买	-	-	-	0℃~+95℃	-	DDR3L SDRAM	1.35V	4Gbit	933MHz	TFBGA-96(8x13)
IS43TR16256BL-125KBLI	ISSI(矽成)	512M×8、256M×16，4GB DDR3 SDRAM 数据手册	￥240.0608 购买	-	102mA	-	-40℃~+95℃	15ns	DRAM	1.45V	4Gbit	800MHz	TFBGA-96
NT5CB256M16ER-FL	Nanya(南亚科)	商业和工业DDR3（L）4Gb SDRAM TFBGA96_13X8MM_SM 数据手册	￥136.04318 购买	-	-	-	0℃~+95℃	-	DDR3 SDRAM	1.425V~1.575V	4Gbit	1.066GHz	TFBGA-96
NT5CC256M16ER-EKI	Nanya(南亚科)	商用和工业用DDR3(L) 4GB SDRAM 数据手册	￥157.6 购买	-	-	-	-40℃~+95℃	-	DDR3L SDRAM	1.5V；1.35V	4Gbit	933MHz	BGA-96(8x13)
K4A8G165WC-BCWE	Samsung(三星)	8GB DDR4 SDRAM 数据手册	￥287.62 购买	-	-	-	0℃~+95℃	-	SDRAM DDR4	1.14V~1.26V	8Gbit	1.333GHz	FBGA-96
IS61WV25616EDBLL-10TLI	ISSI(矽成)	SRAM - 异步存储器 IC 4Mb（256K x 16）并联 10 ns 44-TSOP II 数据手册	￥30.8187 购买	-	-	-	-40℃~+85℃	10ns	-	3.6V	4Mbit	-	TSOP44-10.2mm
23LC1024T-I/SN	Microchip(微芯科技)	1MBIT SPI串行SRAM，具备SDI和SQI接口 数据手册	￥11.49495 购买	-	-	-	-40℃~+85℃	-	SRAM	5.5V	1Mbit	20MHz	SOP-8
W971GG6NB-25	Winbond(华邦)	SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb（64M x 16） SSTL_18 400 MHz 400 ps 数据手册	￥64.025 购买	-	110mA	-	-	15ns	DRAM	1.9V	1Gbit	400MHz	VFBGA-84(8x12.5)
W9751G6NB-25	Winbond(华邦)	8Mx4 BANKSx16位DDR2 SDRAM 数据手册	￥41.93145 购买	-	90mA	-	0℃~+85℃	-	SDRAM DDR2	1.7V~1.9V	512Mbit	400MHz	VFBGA-84(8x12.5)
23LC1024-I/SN	Microchip(微芯科技)	1-Mbit(128K x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.5V to 5.5V SOIC8 数据手册	￥10.9692 购买	-	10mA (Max)	10uA (Max)	-40℃~+85℃	-	-	5.5V	1Mbit	20MHz	SOIC-8
W9751G6KB-25	Winbond(华邦)	SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb（32M x 16）并联 400 MHz 400 ps 84-WBGA（8x12.5） 数据手册	￥15.61846 购买	-	-	-	0℃~+85℃	15ns	DRAM	1.9V	512Mbit	400MHz	WBGA-84
IS61WV51216BLL-10TLI	ISSI(矽成)	512K x 16带3.3V电源的高速异步CMOS静态RAM 数据手册	￥105.36545 购买	-	-	-	-	10ns	-	2.4V~3.6V	8Mbit	-	TSOPII-44
IS61LV256AL-10TLI	ISSI(矽成)	32K x 8低压CMOS静态RAM 数据手册	￥19.1878 购买	-	-	-	-40℃~+85℃	10ns	SRAM	3.3V	256Kbit	-	TSOPI-28
W9425G6KH-5	Winbond(华邦)	IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II 数据手册	￥27.2943 购买	-	65mA	-	0℃~+70℃	15ns	DDR SDRAM	2.7V	256Mbit	200MHz	TSOP66-10.2mm
NT5CC256M16EP-EK	Nanya(南亚科)	商用DDR3（L）4Gb SDRAM VFBGA96_8X13MM 数据手册	￥153.24482 购买	-	-	-	0℃~+95℃	-	DDR3L SDRAM	1.35V	4Gbit	933MHz	VFBGA-96(8x13)
K4A4G165WF-BCTD	Samsung(三星)	仅4Gb F-die DDR4 SDRAM x16 FBGA96 数据手册	￥125.10485 购买	-	-	-	-	-	DRAM	1.14V~1.26V	4Gbit	1.066GHz	FBGA-96
K4A8G165WC-BCTD	Samsung(三星)	DRAM存储器 8Gb C芯片DDR4 SDRAM x16 数据手册	￥308.9748 购买	-	-	-	0℃~+95℃	-	SDRAM DDR4	1.14V~1.26V	8Gbit	1.333GHz	FBGA-96
23LCV1024-I/SN	Microchip(微芯科技)	1 MBIT SPI串行SRAM，带电池备份和SDI接口 数据手册	￥18.4195 购买	-	-	-	-40℃~+85℃	-	SRAM	5.5V	1Mbit	20MHz	SOIC-8
CY7C1041GN30-10ZSXI	Infineon(英飞凌)	SRAM存储器 4-Mbit (256K words × 16 bit) Static RAM 数据手册	￥25.34506 购买	-	-	-	-40℃~+85℃	10ns	SRAM	3.6V	4Mbit	-	TSOP-44(18.41x10.16)
MT41K128M16JT-107:K	Micron(镁光)	SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb 并联 933 MHz 20 ns FBGA96_14X8MM 数据手册	￥49.9592 购买	-	48mA	-	-	-	DRAM	1.283V~1.45V	2Gbit	933MHz	FBGA-96
MT47H64M16NF-25E:M	Micron(镁光)	SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb（64M x 16）并联 400 MHz 400 ps 84-FBGA（8x12.5） 数据手册	￥88.67955 购买	-	38mA	-	0℃~+85℃	15ns	DDR2 SDRAM	1.7V~1.9V	1Gbit	400MHz	FBGA84_12.5X8MM
IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR	ISSI(矽成)	SRAM存储器 2.4V~3.6V TSOP-44 数据手册	￥65.07895 购买	-	-	-	-40℃~+85℃	10ns	SRAM	2.4V~3.6V	8Mbit	-	TSOP-44