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IGBT
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| 图片 | 原厂型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 参考价格 | 功率耗散 | 正向压降VF | 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 关断延迟时间 | 开通延迟时间 | 关断损耗 | 导通损耗 | 工作温度 | 晶体管类型 | 集射极击穿电压Vceo | 集电极电流 Ic | 封装/外壳 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NGTB15N120FL2WG | ON(安森美) | IGBT 1200V 15A SOLAR/UPS TO247 数据手册 | ￥24.43785 购买 | - | - | 1.2KV | - | 64ns | 370μJ | - | -55℃~+175℃(TJ) | FS(场截止) | 1.2KV | 30A | TO-247 | |
 | FGH60N60SMD | ON(安森美) | IGBT 600V 120A 600W TO247-3 数据手册 | ￥10.0881 购买 | 600W | - | - | - | 18ns | 450μJ | - | -55℃~+175℃(TJ) | FS(场截止) | 600V | - | TO-247 | |
 | STGP19NC60KD | ST(意法半导体) | IGBT 600伏35安125瓦通孔 TO-220 数据手册 | ￥7.5166 购买 | - | - | - | 105ns | 30ns | - | - | -55℃~+150℃(TJ) | - | 600V | - | TO-220 | |
 | IKW75N65EH5 | Infineon(英飞凌) | 650V 90A 数据手册 | ￥9.1377 购买 | 395W | - | 2.1V@75A,15V | 174ns | 28ns | 900μJ | 2.3mJ | -40℃~+175℃ | - | 650V | 90A | TO-247-3 | |
 | STGB15M65DF2 | ST(意法半导体) | IGBT 沟槽型场截止 650 V 30 A 136 W 表面贴装型 D?PAK（TO-263） 数据手册 | ￥7.5656 购买 | - | - | - | - | - | 450μJ | 90μJ | -55℃~+175℃(TJ) | FS(场截止) | 650V | - | D2PAK | |
 | IRGIB10B60KD1P | Infineon(英飞凌) | IGBT NPT VCE=600V Ic=16A PD=44W TO220FP-3 数据手册 | ￥26.98499 购买 | - | - | 600V | - | - | - | - | -55℃~+175℃ | NPT | 600V | - | TO-220FP | |
 | FGA40N65SMD | ON(安森美) | IGBT Field Stop 650V 80A 349W TO-3P 数据手册 | ￥13.3672 购买 | - | - | 650V | - | - | - | - | -55℃~+175℃ | FS(场截止) | 650V | 80A | TO-3P | |
 | IKW30N60H3 | Infineon(英飞凌) | 600 V IGBT，采用反并联二极管，TO-247 封装 数据手册 | ￥12.608 购买 | - | - | - | - | 21ns | - | 940uJ | -40℃~+175℃ | FS(场截止) | 600V | - | TO-247-3 | |
 | IKW75N60T | Infineon(英飞凌) | Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD 数据手册 | ￥25.1372 购买 | 428W | 1.6V | - | - | - | - | 2.9mJ | -40℃~+175℃ | P沟道 | - | - | TO-247-3 | |
 | 15T65SD | Juxing(钜兴) | IGBT 650V 15A ITO-220AB 数据手册 | ￥3.5739 购买 | 37.5W | 1.9V | 1.8V@15A,15V | 60ns | 125ns | 210uJ | 330uJ | -40℃~+150℃(TJ) | - | 650V | - | ITO-220AB | |
 | AOD5B65M1 | AOS(美国万代) | 650V，5A阿尔法IGBT带软快速恢复反并联二极管 DPAK 数据手册 | ￥3.2046 购买 | - | - | 650V | - | - | 0.07mJ | - | -55℃~+150℃ | - | 650V | 10A | D-PAK | |
 | STGWT30HP65FB | ST(意法半导体) | IGBT 沟槽型场截止 650 V 60 A 260 W 通孔 TO-3P 数据手册 | ￥17.76319 购买 | 260W | - | 2V@30A,15V | 146ns | - | 293μJ | - | -55℃~+175℃(TJ) | Trench Field Stop | 650V | - | TO-3P | |
 | HGTD1N120BNS9A | ON(安森美) | IGBT NPT VCES=1200V Ic=5.3 A PD=60W TO-252AA 数据手册 | ￥6.8698 购买 | - | - | - | 67ns | - | - | 0.07mJ | -55℃~+150℃ | NPT | 1.2KV | - | TO-252AA | |
 | IHW30N160R5 | Infineon(英飞凌) | 1.6KV 60A 数据手册 | ￥12.7314 购买 | 263W | - | 2.15V@30A,15V | 290ns | - | 2mJ | - | -40℃~+175℃ | - | 1.6KV | 60A | TO-247-3 | |
 | IKD06N60RF | Infineon(英飞凌) | 600V 6A 数据手册 | ￥1.90105 购买 | 100W | - | 2.5V@6A,15V | 106ns | 7ns | 90μJ | 90μJ | -40℃~+175℃ | - | 600V | 6A | TO-252(DPAK) | |
 | IKW40N120T2 | Infineon(英飞凌) | IGBT VCE=1200V IC=75A PD=480W PGTO247-3 数据手册 | ￥18.54755 购买 | - | - | - | - | - | 2.05mJ | 3.2mJ | -40℃~+175℃ | 沟道 | 1.2KV | - | TO-247-3 | |
 | SGT40N60FD2PN | Silan(士兰微) | 40A，600V绝缘栅双极型晶体管 数据手册 | ￥4.5144 购买 | 380W | - | 1.8V | 110ns | 16ns | 800μJ | 1.8mJ | -55℃~+150℃ | FS(场截止) | 600V | 40A | TO-3P-3 | |
 | STGF15H60DF | ST(意法半导体) | IGBT 沟槽型场截止 600 V 30 A 30 W 通孔 TO-220FP 数据手册 | ￥10.9172 购买 | 30W | - | - | 118ns | 24.5ns | - | - | -55℃~+175℃(TJ) | FS(场截止) | 600V | - | TO-220FP | |
 | STGW20NC60V | ST(意法半导体) | 600V 60A 数据手册 | ￥16.66167 购买 | 200W | - | 2.5V@20A,15V | 100ns | - | 330μJ | 220μJ | -55℃~+150℃ | - | 600V | - | TO-247 | |
 | STGB18N40LZT4 | ST(意法半导体) | 汽车级390 V内夹式 IGBT ESCIS 180 mJ 数据手册 | ￥9.31 购买 | - | - | 420V | - | - | - | - | -55℃~+175℃(TJ) | - | 420V | 30A | TO-263AB | |
 | IKW50N60T | Infineon(英飞凌) | IGBT VCE=600V IC=80A PD=333W TO247AC-3 数据手册 | ￥12.573 购买 | - | - | - | 341ns | 27ns | - | - | -40℃~+175℃ | 沟槽型场截止 | 600V | - | TO247AC-3 | |
 | IHW20N135R5 | Infineon(英飞凌) | 采用 TO247 封装的1350 V IGBT单片集成反向导通二极管 数据手册 | ￥6.13655 购买 | 288W | - | 1.35KV | 235ns | - | - | - | -40℃~+175℃ | - | 1.35KV | - | TO-247-3 | |
 | FGA90N33ATDTU | ON(安森美) | IGBT 330V 90A 223W TO3P 数据手册 | ￥14.78401 购买 | - | - | 330V | - | - | - | - | -55℃~+150℃ | 沟道 | 330V | - | TO-3P | |
 | STGWA30M65DF2 | ST(意法半导体) | IGBT 沟槽型场截止 650 V 60 A 258 W 通孔 TO-247 长引线 数据手册 | ￥24.2442 购买 | 258W | - | - | 115ns | 31.6ns | - | 0.3mJ | -55℃~+175℃(TJ) | FS(场截止) | 650V | 60A | TO247-3 | |
 | IKW40N65H5 | Infineon(英飞凌) | 650V 74A 数据手册 | ￥5.8905 购买 | 250W | 1.45V@20A | 1.65V@40A,15V | 165ns | 22ns | 0.12mJ | 0.39mJ | -40℃~+175℃(TJ) | - | 650V | 74A | TO-247-3 |
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