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GD32F103C8T6 STM32F103C8T6 AMS1117-3.3 STM32F407VET6 OT2JI-111-25M

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DRAM存储器

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原厂型号	品牌	描述	参考价格	刷新电流	工作电流	工作温度	接口类型	写周期时间(Tw)	工作电压	存储容量	最大时钟频率	封装/外壳
EM638165TS-6G	ETRON(钰创)	4M x 16位同步DRAM（SDRAM） 数据手册	￥5.59439 购买	-	50mA	0℃~+70℃	并联	-	3.3V	4Mbit	166MHz	TSOPII-54
IS43TR16256A-125KBLI	ISSI(矽成)	4Gb DDR3 同步动态随机存取存储器 数据手册	￥55.86 购买	22mA	82mA	-	并联	15ns	1.425V~1.575V	4Gbit	800MHz	TWBGA-96(13x9)
TM3F01GUAI	TM(天微)	SD NAND闪存是一种用于低功耗应用的嵌入式存储解决方案。SD NAND由NAND闪存和采用LGA 8封装的高性能控制器组成。NAND区域需要3.3V电源电压（VCC）。SD NAND闪存基于先进的8针接口（时钟、命令、数据*4、电源和接地）。 数据手册	￥5.85 购买	-	-	-40℃~+85℃	-	-	3.3V	1Gbit	-	LGA-8(6x8)
HSEL4XSA2G-HD8	HIKSEMI(海康存储)	DRAM存储器 数据手册	询价	-	-	-	-	-	-	16Gbit	-	FBGA-200
MT41K128M16JT-125：AIT K	Micron(镁光)	1.35V汽车DDR3L SDRAM	询价	-	-	-	并联	-	1.283V~1.45V	2Gbit	800MHz	FBGA-96
MT48LC8M16A2P-6AIT:L	Micron(镁光)	SDRAM 存储器 IC 128Mb（8M x 16）并联 167 MHz 5.4 ns 54-TSOP II	￥37.29 购买	-	-	-	并联	12ns	3V~3.6V	128Mbit	167MHz	TSOPII-54
RS512M32LO4D1BDS-53BT	Rayson(晶存)	200b: x32 LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM 数据手册	￥51.35272 购买	-	-	-25℃~+85℃	-	-	1.7V~1.95V；1.06V~1.17V	16Gbit	1.866GHz	VFBGA-200(14.5x10)
RS1G32LO4D2BDS-53BT	Rayson(晶存)	200b: x32 LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM 数据手册	￥618.9082 购买	-	-	-25℃~+85℃	-	-	1.7V~1.95V；1.06V~1.17V	32Gbit	1.866GHz	VFBGA-200(14.5x10)
MT47H32M16NF-25EIT:H	Micron(镁光)	SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb（32M x 16）并联 400 MHz 400 ps FBGA84_12.5X8MM 数据手册	￥22.035 购买	-	-	-40℃~+95℃	并联	15ns	1.7V~1.9V	512Gb	400MHz	FBGA-84(8x12.5)
SCB13H4G160AF-11MI	UniIC(紫光国芯)	4Gbit DDR3L SDRAM 数据手册	￥291.49105 购买	-	-	-	-	-	-	256Mbit	933MHz	PG-TFBGA-96
MT41K256M16TW-107?IT:P	Micron(镁光)	DRAM存储器 4Gb 933MHz SDRAM-DDR3L FBGA96_14X8MM 数据手册	￥14.25 购买	-	-	-40℃~+95℃	-	-	1.283V~1.45V	4Gbit	933MHz	FBGA-96
TM3F02GUAI	TM(天微)	闪速存储器-SD NAND(6*8）2Gb(256MB) 数据手册	￥7.15 购买	-	-	-40℃~+85℃	-	-	3.3V	2Gbit	-	LGA-8(6x8)
RS256M32LZ4D1ANP-75BT	Rayson(晶存)	移动LPDDR4 SDRAM 数据手册	￥33.04 购买	-	-	-25℃~+85℃	-	-	1.7V~1.95V；1.06V~1.17V	8Gbit	1.333GHz	VFBGA-200(14.5x10)
K4B4G1646D-BIK0	Samsung(三星)	DRAM存储器 FBGA96_13.3X7.5MM 256Mb 1.5V 933MHz 数据手册	￥16.48 购买	-	-	-40℃~+95℃	-	-	1.5V	256Mbit	933MHz	FBGA-96
MT48LC16M16A2P-6AIT:G	Micron(镁光)	SDRAM 存储器 IC 256Mb（16M x 16）并联 167 MHz 5.4 ns TSOP54_22.22X10.16MM	￥23.73 购买	-	-	-	并联	12ns	3V~3.6V	256Mbit	167MHz	TSOP-54(22.22x10.16)
MT41K128M16JT-125：K	Micron(镁光)	SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb（128M x 16）并联 800 MHz 13.75 ns 96-FBGA（8x14）	￥73.875 购买	-	-	0℃~+95℃	并联	-	1.283V~1.45V	2Gbit	800MHz	FBGA-96
MT41K128M16JT-125IT:K	Micron(镁光)	SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb（128M x 16）并联 800 MHz 13.75 ns FBGA96_14X8MM	￥36 购买	-	-	-40℃~+95℃	并联	-	1.283V~1.45V	2Gbit	800MHz	FBGA-96
RS768M32LZ4D4ANQ-75BT	Rayson(晶存)	200b: x32 LPDDR4 SDRAM 数据手册	￥104.87999 购买	-	-	-25℃~+85℃	-	-	1.7V~1.95V；1.06V~1.17V	24Gb	1.333GHz	VFBGA-200(14.5x10)
SCB33S128160AE-6BI	UniIC(紫光国芯)	P-TSOPII54 128Mb 90mA 3~3.6V 167MHz 数据手册	￥28.7133 购买	-	90mA	-40℃~+85℃	-	-	3V~3.6V	128Mbit	167MHz	TSOPII-54
MT41K256M16TW-107IT:P	Micron(镁光)	SDRAM - DDR3L 存储器 IC 4Gb（256M x 16）并联 933 MHz 20 ns 96-FBGA（8x14）	￥15.255 购买	-	-	-40℃~+95℃	并联	-	1.283V~1.45V	4Gbit	933KHz	FBGA-96
TM3F04GUAI	TM(天微)	闪速存储器-SD NAND(6*8）4Gb(512MB) 数据手册	￥11.7 购买	-	-	-40℃~+85℃	-	-	3.3V	4Gbit	-	LGA-8(6x8)