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    首页所有产品晶体管场效应管(MOSFET) 当前“场效应管(MOSFET)”共 5624 条相关库存

    场效应管(MOSFET)

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    图片原厂型号品牌描述库存参考价格功率耗散极性导通电阻(RDS(on)阈值电压漏源电压(Vdss)工作温度连续漏极电流栅极电荷(Qg)输入电容(Ci)反向传输电容Crss封装/外壳
    UM6K1NUM6K1NJSCJ(长晶)
    MOSFETs N-沟道 30V 100mA SOT-363
    数据手册

    ¥0.39406

    购买
    -
    N-沟道
    -
    1.5V
    30V
    -
    100mA
    -
    13pF
    4pF
    SOT-363
    IRFML8244TRPBFIRFML8244TRPBFInfineon(英飞凌)
    MOSFETs 1个N沟道 耐压:25V 电流:5.8A SOT-23
    数据手册

    ¥0.68473

    购买
    1.25W
    N-沟道
    -
    2.35V@10?A
    25V
    -55℃~+150℃
    5.8A
    5.4nC@10V
    -
    -
    SOT-23
    NDS331NNDS331NTECH PUBLIC(台舟)
    MOSFETs N-沟道 SOT-23
    数据手册

    ¥0.27077

    购买
    -
    N-沟道
    -
    -
    20V
    -55℃~+150℃
    5.5A
    -
    300pF
    -
    SOT-23
    AO6601AO6601UMW(友台)
    N沟道+P沟道 耐压:30V 电流:3.4A
    数据手册

    ¥0.29341

    购买
    -
    N沟道+P沟道
    -
    -
    30V
    -55℃~+150℃
    3.4A;2.3A
    -
    260pF@30V
    -
    SOT-23-6
    AO4441AO4441AOS(美国万代)
    1个P沟道 耐压:60V 电流:4A
    数据手册

    ¥1.519

    购买
    3.1W
    P-沟道
    -
    3V
    60V
    -55℃~+150℃
    4A
    20nC@10V
    1.12nF@30V
    -
    SOIC-8
    CRSM038N10N4CRSM038N10N4CR MICRO(华润微)
    低压MOSFET 电源、储能电源、UPS用,Vds=100V Id=100A Rds=3.0mΩ(3.6mΩ最大) DFN5x6封装;
    数据手册

    ¥2.4651

    购买
    139W
    N-沟道
    3mΩ@10V
    3V
    100V
    -55℃~+150℃(TJ)
    100A
    49.6nC@10V
    3.162nF
    40pF@50V
    DFN-8(5x6)
    5N105N10GOODWORK(固得沃克)
    MOSFETs N沟道 耐压:100V 电流:5A SOT-23
    数据手册

    ¥0.1323

    购买
    1.2W
    N-沟道
    110mΩ@10V
    1.8V
    100V
    -55℃~+150℃
    5A
    -
    206pF@50V
    -
    SOT-23
    SI2305CDSSI2305CDSTECH PUBLIC(台舟)
    MOSFETs SOT23-3 P沟道 VDS=20V ID=6A
    数据手册

    ¥0.40748

    购买
    -
    P-沟道
    -
    -
    20V
    -55℃~+150℃
    6A
    -
    1.73nF@6V
    -
    SOT23-3
    CJ2309ACJ2309AJSCJ(长晶)
    1个P沟道 耐压:60V 电流:2A
    数据手册

    ¥0.37897

    购买
    -
    P-沟道
    130mΩ@10V
    2.5V
    60V
    -55℃~+150℃
    2A
    12nC
    380pF
    6pF
    SOT-23
    HYG210P06LQ1DHYG210P06LQ1DHUAYI(华羿微)

    ¥1.14811

    购买
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    TO-252(DPAK)
    SI4401BDYSI4401BDYTECH PUBLIC(台舟)
    耐压:40V 电流:12A
    数据手册

    ¥1.11514

    购买
    -
    -
    -
    -
    40V
    -55℃~+150℃
    12A
    -
    2.8nF@20V
    -
    SOP-8
    SI4401BDYSI4401BDYTECH PUBLIC(台舟)
    耐压:40V 电流:12A
    数据手册

    ¥1.14703

    购买
    -
    -
    -
    -
    40V
    -55℃~+150℃
    12A
    -
    2.8nF@20V
    -
    SOP-8
    QS6M4TRQS6M4TRROHM(罗姆)
    2.5V驱动,N沟道+P沟道MOSFET
    数据手册

    ¥0.8675

    购买
    1.25W
    -
    230mΩ@4.5V
    1.5V
    30V
    -55℃~+150℃
    1.5A
    1.6nC@4.5V
    80pF@10V
    -
    SOT23-6
    NTTFS5826NLTAG-VBNTTFS5826NLTAG-VBVBsemi(微碧)
    MOSFETs N-沟道 60V 15A DFN-8-EP(3x3)
    数据手册

    ¥2.99079

    购买
    -
    N-沟道
    -
    -
    60V
    -55℃~+175℃
    15A
    -
    2.65nF
    -
    DFN-8-EP(3x3)
    5LN01C-TB-E-VB5LN01C-TB-E-VBVBsemi(微碧)
    MOSFETs N-沟道 60V 250mA SOT-23
    数据手册

    ¥0.18459

    购买
    300mW
    N-沟道
    2.8Ω@10V
    2V
    60V
    -55℃~+150℃(TJ)
    250mA
    400pC
    25pF
    2pF
    SOT-23
    AON7264EAON7264EAOS(美国万代)
    N-CH
    数据手册

    ¥0.95658

    购买
    27.5W
    -
    9.5mΩ@10V,17A
    2.4V
    60V
    -55℃~+150℃
    28A
    25nC
    -
    -
    VDFN8
    SI2323DSSI2323DSTECH PUBLIC(台舟)
    耐压:20V 电流:4.1A
    数据手册

    ¥0.25892

    购买
    -
    -
    -
    -
    20V
    -55℃~+150℃
    4.1A
    -
    740pF@4V
    -
    SOT-23
    2SK30182SK3018TWGMC(迪嘉)
    MOSFETs N-沟道 30V 100mA SOT-23
    数据手册

    ¥0.06312

    购买
    -
    N-沟道
    -
    -
    30V
    -55℃~+150℃
    100mA
    -
    13pF
    -
    SOT-23
    L2N7002M3T5GL2N7002M3T5GLRC(乐山无线电)
    MOSFETs N沟道 耐压:60V 电流:115mA SOT723
    数据手册

    ¥0.25715

    购买
    150mW
    N-沟道
    4Ω@10V,500mA
    2.2V
    60V
    -55℃~+150℃
    115mA
    -
    50pF@25V
    -
    SOT723
    SI7101DN-T1-GE3SI7101DN-T1-GE3Vishay(威世)
    1个P沟道 耐压:30V 电流:35A
    数据手册

    ¥3.3418

    购买
    -
    P沟道
    7.2mΩ@10V,15A
    2.5V
    30V
    -55℃~+150℃
    35A
    102nC
    3.595nF
    -
    PowerPAK1212-8
    SI7115DN-T1-GE3SI7115DN-T1-GE3Vishay(威世)
    1个P沟道 耐压:150V 电流:8.9A
    数据手册

    ¥8.8902

    购买
    3.7W,52W
    -
    -
    4V
    150V
    -50℃~+150℃
    8.9A
    42nC
    1.19nF@50V
    -
    PowerPAK1212-8
    IRF4905(UMW)IRF4905(UMW)UMW(友台)
    MOSFETs P-沟道 55V 74A TO-220
    数据手册

    ¥1.6236

    购买
    200W
    P-沟道
    20mΩ@10V
    4V
    55V
    -55℃~+175℃(TJ)
    74A
    180nC
    3.5nF
    640pF
    TO-220
    JMTQ35N06AJMTQ35N06AJJW(捷捷微)
    1个N沟道 耐压:60V 电流:35A
    数据手册

    ¥0.73961

    购买
    41W
    N-沟道
    12mΩ@10V
    1.6V
    60V
    -55℃~+150℃(TJ)
    35A
    50nC@10V
    2.9nF
    124pF@25V
    PDFN-8(3.3x3.3)
    IRF7303TRPBFIRF7303TRPBFInfineon(英飞凌)
    MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
    数据手册

    ¥2.8714

    购买
    -
    N-沟道
    50mΩ@10V
    1V
    30V
    -55℃~+150℃
    4.9A
    25nC@10V
    520pF@25V
    -
    SOIC-8
    IPB110P06LMIPB110P06LMInfineon(英飞凌)
    特性:P沟道。 极低导通电阻RDS(on),在VDS为-4.5 V时。 100%雪崩测试。 逻辑电平。 增强模式。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册

    ¥12.0958

    购买
    300W
    P-沟道
    11mΩ@10V
    2V
    60V
    -55℃~+175℃(TJ)
    100A
    281nC@10V
    8.5nF@30V
    -
    TO-263(D?Pak)
    NCEP092N10ASNCEP092N10ASNCE(新洁能)
    1个N沟道 耐压:100V 电流:14A
    数据手册

    ¥3.7142

    购买
    3.5W
    N-沟道
    8.4mΩ@10V,14A
    1.7V
    100V
    -55℃~+150℃(TJ)
    14A
    70nC@10V
    3.65nF
    22pF@50V
    SOP-8
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