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GD32F103C8T6 STM32F103C8T6 AMS1117-3.3 STM32F407VET6 OT2JI-111-25M

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JFETs

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原厂型号	品牌	描述	参考价格	栅极源极击穿电压	极性	漏源电流(Idss)	功率耗散	工作温度	封装/外壳
MMBFJ201	ON(安森美)	300MV@10NA 数据手册	￥0.7684 购买	40V	-	200μA@20V	350mW	-55℃~+150℃	SOT23-3L
MMBF4117	ON(安森美)	JFET N-CH 40V 0.225W SOT23 数据手册	￥2.9601 购买	40V	N-沟道	30μA@10V	225mW	-55℃~+150℃(TJ)	SOT-23
2SK880-Y(TE85L,F)	Toshiba(东芝)	场效应晶体管硅N通道结型 数据手册	￥0.66954 购买	-	N-沟道	1.2mA@10V	100mW	-	SOT-323
2SK209-GR(TE85L,F)	Toshiba(东芝)	Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications 数据手册	￥0.66503 购买	50V	-	14mA@10V	150mW	-55℃~+125℃	SOT-23
BSR58	ON(安森美)	JFETs N-沟道 40V SOT-23 数据手册	￥0.91503 购买	40V	N-沟道	8mA@15V	250mW	+150℃(TJ)	SOT-23
MMBFJ177LT1G	ON(安森美)	JFET晶体管 P-Channel VGSS(BR)=30V IDSS=20mA SOT23-3 数据手册	￥0.59636 购买	30V	-	1.5mA@15V	225mW	-55℃~+150℃	SOT-23
MMBF4393LT1G	ON(安森美)	N沟道 VDS=30V VGS=30V P=225mW 数据手册	￥0.5336 购买	30V	-	5mA@15V	-	-55℃~+150℃	SOT-23
MMBFJ175LT1G	ON(安森美)	JFETs P-沟道 30V SOT-23 数据手册	￥0.82702 购买	30V	P-沟道	7mA@15V	225mW	-55℃~+150℃(TJ)	SOT-23
MMBFJ270	ON(安森美)	JFETs P沟道 30V 225mW SOT-23 数据手册	￥1.06565 购买	30V	P-沟道	2mA@15V	225mW	-55℃~+150℃(TJ)	SOT-23
MMBF4392LT1G	ON(安森美)	JFETs 单路 N-沟道 30V 25mA SOT-23 数据手册	￥0.49617 购买	-	N-沟道	25mA@15V	225mW	-55℃~+150℃(TJ)	SOT-23
TPC6110(TE85L,F,M)	Toshiba(东芝)	TPC6110(TE85L,F,M) 数据手册	￥9.48369 购买	-	-	-	700mW	+150℃	-
MMBFJ202	ON(安森美)	JFET N 通道 40 V 350 mW 表面贴装型 SOT-23-3 数据手册	￥0.98813 购买	-40V	N-沟道	-	350mW	-55℃~+150℃	SOT-23
MMBF4391LT1G	ON(安森美)	JFET N-Channel 30V 225mW SOT23-3 数据手册	￥0.44071 购买	30V	N-沟道	50mA@15V	225mW	-55℃~+150℃	SOT-23
MMBFJ112	ON(安森美)	JFETs N-沟道 35V SOT-23 数据手册	￥0.43718 购买	-35V	-	5mA@15V	350mW	-55℃~+150℃	SOT-23
MMBFJ309LT1G	ON(安森美)	JFETs N-沟道 25V 10mA SOT-23 数据手册	￥0.50558 购买	-	N-沟道	-	-	-55℃~+150℃(TJ)	SOT-23
MMBFJ310LT1G	ON(安森美)	JFET-VHF/UHF放大器晶体管N?通道VDS=25V SOT23 数据手册	￥1.12905 购买	-	-	-	-	-55℃~+150℃	SOT-23
GP16515DS	GaNPower(镓能半导体)	650V N-channel GaN FET in DFN6X8 数据手册	询价	-	N-沟道	15A	-	-55℃~+150℃	DFN-8
GP1A215TS_252	GaNPower(镓能半导体)	1200V N-channel GaN FET in TO252 数据手册	￥62.3616 购买	-	-	15A	82.5W	-55℃~+150℃	TO-252(DPAK)
TMC1320-LA	Trinamic	N沟道+P沟道 VDS1=30V ID1=7.3A VDS2=-30V ID2=-5.3A VGS=±20V P=2.5W 2通路 数据手册	询价	-	N-沟道,P-沟道	7.3A	-	-55℃~+150℃	PQFN8
J112_D26Z	ON(安森美)	JFETs N-Channel Switch TO92-3 数据手册	￥0.88562 购买	-	N-沟道	-	625mW	-55℃~+150℃	TO92-3
GP16530TD4	GaNPower(镓能半导体)	650V N-channel GaN FET in TO220-4L 数据手册	询价	±6V	N-沟道	30A	165W	-55℃~+150℃	TO-220-4
GP1A215TS_263	GaNPower(镓能半导体)	1200V N-channel GaN FET in TO263 数据手册	￥62.3616 购买	-	N-沟道	15A	82.5W	-55℃~+150℃	TO-263(D?Pak)
GP1A015TS_263	GaNPower(镓能半导体)	1KV N-channel GaN FET in TO263 数据手册	￥62.3616 购买	±6V	N-沟道	15A	82.5W	-55℃~+150℃	TO-263(D?Pak)
TMC1620-TO	Trinamic	N沟道+P沟道 VDS1=60V ID1=6.6A VDS2=-60V ID2=-4.7A VGS=±20V P=3.13W 2通路 数据手册	询价	±20V	N-沟道,P-沟道	6.6A	3.13W	-55℃~+150℃	TO-252-4
2SK208-Y(TE85L,F)	Toshiba(东芝)	N-Channel Vgds=50V SC-59 数据手册	询价	-	-	1.2mA@10V	-	-55℃~+125℃	SC-59