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DDR电源
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| 图片 | 原厂型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 参考价格 | 输出电压 | 工作电压 | 封装/外壳 | 工作温度 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AOM61490 | AOM CHIP(声光微) | 6V输入3A输出电流DDR驱动芯片 数据手册 | ￥2.3345 购买 | - | 2.5V~5.5V | DFN-10-EP(3x3) | -40℃~+85℃ | |
 | MP1530DM-LF-Z | MPS(美国芯源) | IC REG ADJ 2.8A 16TSSOP 数据手册 | ￥8.3458 购买 | - | 2.7V~5.5V | TSSOP-16 | -40℃~+85℃ | |
 | LTC3617EUDD#PBF | Linear(凌力尔特) | ±6A单片同步降压调节器，用于DDR终端 数据手册 | 询价 | 500mV | 2.25V~5.5V | QFN-24-EP(5x3) | -40℃~+125℃ | |
 | LTC3618EUF#PBF | Linear(凌力尔特) | 双4MHz，±3A同步降压变换器，用于DDR终端 数据手册 | 询价 | 600mV | 2.25V~5.5V | QFN-24-EP(4x4) | -40℃~+125℃ | |
 | H26M41204HPR | Hynix(海力士) | SK hynix e-NAND由NAND闪存和MMC控制器组成。e-NAND具有内置智能控制器，可管理接口协议、磨损均衡、坏块管理、，垃圾收集和ECC。e-NAND保护数据内容免受主机突然断电故障的影响。e-NAND与JEDEC标准eMMC5.1规范兼容。（CMD队列除外）FBGA153 | ￥22.66 购买 | 212.5mV~2.475V | 2.7V~3.6V | FBGA-153 | -25℃~+85℃ | |
 | MAX1510ETB+T | Maxim(美信) | series 转换器，DDR 稳压器 IC 1 输出 10-TDFN（3x3） 数据手册 | 询价 | 500mV~1.5V | 1.1V~3.6V | TDFN-10-EP(3x3) | -40℃~+85℃ | |
 | LTC3618IUF#PBF | Linear(凌力尔特) | 双4MHz，±3A同步降压变换器，用于DDR终端 数据手册 | 询价 | 600mV | 2.25V~5.5V | QFN-24-EP(4x4) | -40℃~+125℃ |
粤公网安备44030402000592号
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